产品分类 |
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
NSS35200MR6T1G PDF |
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产品培训模块 |
Low Vce(sat) BJT Power Savings
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产品变化通告 |
Wire Change 08/Jun/2009
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产品目录绘图 |
SC-88, SOT-363, SC74-6, 6-TSOP
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标准包装 |
1 |
系列 |
- |
晶体管类型 |
PNP
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电流 - 集电极 (Ic)(最大) |
2A
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
35V
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Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) |
310mV @ 20mA,2A
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电流 - 集电极截止(最大) |
100nA
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在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) |
100 @ 1.5A,1.5V
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功率 - 最大 |
625mW
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频率 - 转换 |
100MHz
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
SC-74,SOT-457
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供应商设备封装 |
6-TSOP
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包装 |
剪切带 (CT)
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产品目录页面 |
1562 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
NSS35200MR6T1GOSCT
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